9/14〜16に開催されたDAシンポジウム2016にて，卒業生の粟野氏とM2の辺が受賞した「情報処理学会コンピュータサイエンス領域奨励賞」の表彰が行われました．
9/14〜16に開催されたDAシンポジウム2016にて，卒業生の粟野氏が「システムとLSIの設計技術研究会 2015年度最優秀発表学生賞」を受賞しました．
9/14〜16に開催されたDAシンポジウム2016にて，卒業生の粟野氏とM2の辺が「DAシンポジウム2015 優秀発表学生賞」を受賞しました．
2016年9月14〜16日に石川県加賀市山代温泉で開催されたDAシンポジウム2016において，M2の辺が研究発表を行いました (口頭発表日は14日，ポスター発表日は15日)．
辺の発表は，大規模回路におけるNBTI劣化の推定ライブラリ構築に関するものです．近年，特性ばらつきの増加や経年劣化の増大が問題視されています．経年劣化メカニズムの一種としてのNBTI劣化は，精確な推定が難しい現象の一つです．従来のアプローチでは，NBTI劣化の推定に高次元化されたタイミングライブラリを用いることが一般的であるが，非現実的なライブラリサイズが大きな課題である．本発表では，高次元なライブラリではなく，機械学習アルゴリズムに基づきNBTI劣化後の遅延を予測する手法を提案しました．数値実験により，提案手法は4%以内の誤差で劣化後遅延予測を達成することができ，高次元ライブラリを用いずとも従来のSTAと同等な精度を実現できることを示しました ．
2016年9月6日～8日にドイツのニュルンベルクで開催されたInternational Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)にて本研究室の新谷が研究発表を行いました (発表日は9月7日)．
SISPADは，プロセスおよびデバイスのシミュレーションに関する国際会議の1つで，今回で21回目を迎えます．シリコンデバイスの微細プロセスに関するシミュレーション技術といった従来からあるトピックに加え，近年はSiCに代表されるワイドバンドギャップデバイスのシミュレーション技術も多数発表されています．新谷は，SiCパワーMOSFETのシミュレーションモデルに関して発表いたしました．提案手法ではMOSFETの詳細な物理現象に基づいてモデル化しており，シミュレーション値は実測値をよく模擬できます．本会議では著名な研究者と意見交換をすることができ，今後の研究を進める上で良い機会になりました．
なお，本研究は京都大学大学院工学研究科 引原研究室と共同で行われました．
以下の論文が国際会議WiPDA (the 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications)に採択されました。
以下の論文が国際会議ASP-DAC 2017 (Asia and South Pacific Design Automation Conference)に採択されました (採択率31%=111/358)。
Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA)への以下の論文の採録が決定しました．
8月18日（木），19日（金）に，伊勢・鳥羽へ研究室旅行に行きました．伊勢神宮を参拝し，せんぐう館を訪れ伊勢神宮の式年遷宮について学んだほか，鳥羽湾をクルージングしてイルカ島へ行ったり，鳥羽水族館で海の動物や魚を鑑賞したりしました．
8月9日(火)，10日(水)に京都大学オープンキャンパス2016が開催されました．本研究室では10日(水)に研究室見学を実施し，研究内容の紹介や電子工作体験等を行いました．
