2016年9月6日~8日にドイツのニュルンベルクで開催されたInternational Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)にて本研究室の新谷が研究発表を行いました (発表日は9月7日).
SISPADは,プロセスおよびデバイスのシミュレーションに関する国際会議の1つで,今回で21回目を迎えます.シリコンデバイスの微細プロセスに関するシミュレーション技術といった従来からあるトピックに加え,近年はSiCに代表されるワイドバンドギャップデバイスのシミュレーション技術も多数発表されています.新谷は,SiCパワーMOSFETのシミュレーションモデルに関して発表いたしました.提案手法ではMOSFETの詳細な物理現象に基づいてモデル化しており,シミュレーション値は実測値をよく模擬できます.本会議では著名な研究者と意見交換をすることができ,今後の研究を進める上で良い機会になりました.
なお,本研究は京都大学大学院工学研究科 引原研究室と共同で行われました.
- Yohei Nakamura, Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, Takashi Sato, and Takashi Hikihara:
“A Simulation Model for SiC Power MOSFET Based on Surface Potentiantial,” in Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (Nuremberg, Germany), pp.121-124, Sep. 2016.
DOI: 10.1109/SISPAD.2016.7605162