2016年度電気系野球大会

投稿日: 2016年08月10日 作成者: hiromoto

8月9日(火)，京都御所グラウンドにて2016年度電気系野球大会の1回戦が行われました．佐藤高史研究室は守倉・原田・知的通信網研の合同チームに果敢に立ち向かいましたが，熱戦の末，健闘虚しく2-14で敗退しました．

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SASIMI2016採択決定

投稿日: 2016年08月05日 作成者: hiromoto

以下の論文が2016年10月24〜25日に開催予定の国際会議 the 20th Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information technologies (SASIMI2016) に採択されました．

  • Kazuki Oishi, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Thermal Circuit Identification of Power MOSFETs through In-Situ Channel Temperature Measurement,” in Proc. of the 20th Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information technologies (SASIMI2016) (Kyoto Research Park, Kyoto, Japan), Oct. 2016 (to appear).
  • Shumpei Morita, Song Bian, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Path Grouping Approach for Efficient Candidate Selection of Replacing NBTI Mitigation Logic,” in Proc. of the 20th Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information technologies (SASIMI2016) (Kyoto Research Park, Kyoto, Japan), Oct. 2016 (to appear).
  • Takayuki Ujiie, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Hardware Accelerator of Convolutional Neural Network for Image Recognition and its Performance Evaluation Platform,” in Proc. of the 20th Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information technologies (SASIMI2016) (Kyoto Research Park, Kyoto, Japan), Oct. 2016 (to appear).
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SSDM2016採択決定

投稿日: 2016年07月19日 作成者: hiromoto

以下の論文が2016年9月26〜29日に開催予定の国際会議 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) に採択されました．

  • Michihiro Shintani, Yohei Nakamura, Masayuki Hiromoto, Takashi Hikihara, and Takashi Sato:
    “A Surface-Potential-Based Reverse-Transfer Capacitance Model for Vertical SiC DMOSFET,” in Proc. of International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (Tsukuba, Japan), Sep. 2016 (to appear).
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情報処理学会 コンピュータサイエンス領域奨励賞 受賞

投稿日: 2016年07月16日 作成者: hiromoto

卒業生の粟野氏とM2の辺（Bian）が以下の論文について「情報処理学会 コンピュータサイエンス領域奨励賞」を受賞しました．2016年9月14日に開催されるDAシンポジウム2016にて表彰式が行われる予定です．

  • 粟野 皓光, 廣本 正之, 佐藤 高史:
    “デバイス特性の経年劣化に起因する不良確率変化の効率的な解析手法”, 情報処理学会DAシンポジウム2015 (於 石川県加賀市山代温泉 ゆのくに天祥), pp.169-174, 2015年8月.
  • Song Bian, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Fast Estimation on NBTI-Induced Delay Degradation Based on Signal Probability,” 情報処理学会DAシンポジウム2015 (於 石川県加賀市山代温泉 ゆのくに天祥), pp.181-186, Aug. 2015.
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電気学会 半導体電力変換研究会

投稿日: 2016年07月16日 作成者: hiromoto

2016年7月14日〜15日に機械振興会館で開催された電気学会 半導体電力変換研究会（電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究専門委員会との共催）にて，研究員の新谷が発表を行いました（発表日は15日）．

発表内容は以下の通りです．SiCパワー半導体は高周波動作が可能であるという利点があるため回路で用いられるキャパシタやインダクタを小型化ができ，結果として電力変換回路自体の小型化が望めます．ところが，高周波化によりSiCパワー半導体を駆動するゲート駆動回路の電力損失が増大してしまう課題があります．本研究では，E級増幅回路等で用いられるソフトスイッチング技術が電力損失を抑制できることに着目し，ソフトスイッチング動作に基づくゲート駆動回路を提案しました．回路シミュレーションによる評価を通じて，提案するゲート駆動回路の構成を用いることで，電力損失を生じることなくSiCパワーMOSFETを高速に駆動できることを示しました．

なお本研究は，千葉大学大学院融合科学研究科 関屋大雄准教授らとの共同研究の成果によるものです．

  • 新谷 道広, 佐藤 高史, 孫 宇チョン, 関屋 大雄:
    “零電圧スイッチング動作に基づくゲートドライバのための設計解析式の検討”, 電気学会研究会資料 (於 機械振興会館), SPC-16-099, pp.77-82, 2016年7月.
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CVPRW/EVW2016

投稿日: 2016年07月05日 作成者: hiromoto

2016年6月26日～7月1日に米国ネバダ州ラスベガスで開催されたThe Twelfth IEEE Embedded Vision Workshop 2016 (IEEE Conference on Computer Vision and Pattern Recognition (CVPR2016) の併催WS) にてM1の氏家が研究発表を行いました (発表日は7月1日)．

氏家の発表は，畳み込みニューラルネットワーク(CNN)を用いた画像認識ハードウェアの低電力化に関するものです．CNNは広範なクラスの画像を高精度で認識できる一方で，演算による負荷が大きくハードウェア実装においては消費電力が課題となっています．本発表ではCNNの演算負荷を低減するべく，負荷の小さい演算によって負荷の大きい演算の実行回数を削減するような計算手法を提案し，通常のCNNに比べ消費エネルギーを14.1%削減できることを確かめました．

  • Takayuki Ujiie, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Approximated Prediction Strategy for Reducing Power Consumption of Convolutional Neural Network Processor,” in Proc. of IEEE Conference on Computer Vision and Pattern Recognition Workshops (CVPRW) (Las Vegas, NV, USA), pp.870-876, July 2016.
    DOI: 10.1109/CVPRW.2016.113
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NOLTA2016採択決定

投稿日: 2016年07月04日 作成者: hiromoto

以下の論文が2016年11月27〜30日に開催予定の国際会議 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA) に採択されました．

  • Rui Zhou, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “A Charge-Based SiC Power MOSFET Model Considering On-State Resistance,” in Proc. of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA) (Yugawara, Japan), Nov. 2016 (to appear).
  • Michihiro Shintani, Yuchong Sun, Hiroo Sekiya, and Takashi Sato:
    “A Design Example of Class-E Based Gate Driver for High Frequency Operation of SiC Power MOSFET,” in Proc. of International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA) (Yugawara, Japan), Nov. 2016 (to appear).
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日経テクノロジーオンライン記事掲載

投稿日: 2016年06月23日 作成者: ts

DAC2016での研究発表について、日経テクノロジーオンライン（「300倍速く数千のばらつきを考慮、京大がタイミング解析技術」）に取り上げていただきました。論文で提案した技術に関する解説記事が掲載されています。

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DAC2016

投稿日: 2016年06月15日 作成者: ts

2016年6月5日～9日に米国テキサス州オースチン市で開催されたDesign Automation Conference (DAC)　2016にて本研究室卒業生(投稿時D3)の粟野氏が研究発表を行いました(発表日は6月9日)．

粟野氏の発表は、組合せ回路のタイミング歩留り解析を高速化する手法に関するものです． GPU 等の超並列プロセッサに多数集積される演算コアのタイミング不良率を，設計段階で見積もり保証することは極めて重要な技術となっていますが，回路シミュレータを用いて，多数のトランジスタの特性ばらつきを正確に考慮しつつ解析を行うことは，長い計算時間のためにほとんど困難となっていました．本発表では，組合せ回路の遅延時間が特定のばらつきに強く依存する特性に着目し，Line sampling と呼ばれる手法を応用する解析手法を提案しています． 1000 個以上の多数のばらつき変数を同時に考慮する解析を初めて可能とし，既存手法と比較して約300倍の効率化が達成可能であることを示しました．

DACは，集積回路の設計に関する最大かつ最も権威のある学会です（採択率: 22.6% = 152/674）．大規模な展示会や複数のワークショップが併設され，多数の参加者で賑わいます．

  • Hiromitsu Awano and Takashi Sato, “Efficient transistor-level timing yield estimation via line sampling,” in Proc. Design automation conference (DAC), paper 69.3, June 2016.
    DOI: 10.1145/2897937.2898016
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SISPAD2016採択決定

投稿日: 2016年06月13日 作成者: hiromoto

以下の論文が国際会議 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)に採択されました．なお本論文は工学研究科電気工学専攻 引原研究室との共同研究の成果によるものです．

  • Yohei Nakamura, Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, Takashi Sato, and Takashi Hikihara:
    “A Simulation Model for SiC Power MOSFET Based on Surface Potentiantial,” in Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) (Nuremberg, Germany), Sep. 2016 (to appear).
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