電気学会 半導体電力変換研究会

2016年7月14日〜15日に機械振興会館で開催された電気学会 半導体電力変換研究会（電子情報通信学会電子通信エネルギー技術研究専門委員会との共催）にて，研究員の新谷が発表を行いました（発表日は15日）．

発表内容は以下の通りです．SiCパワー半導体は高周波動作が可能であるという利点があるため回路で用いられるキャパシタやインダクタを小型化ができ，結果として電力変換回路自体の小型化が望めます．ところが，高周波化によりSiCパワー半導体を駆動するゲート駆動回路の電力損失が増大してしまう課題があります．本研究では，E級増幅回路等で用いられるソフトスイッチング技術が電力損失を抑制できることに着目し，ソフトスイッチング動作に基づくゲート駆動回路を提案しました．回路シミュレーションによる評価を通じて，提案するゲート駆動回路の構成を用いることで，電力損失を生じることなくSiCパワーMOSFETを高速に駆動できることを示しました．

なお本研究は，千葉大学大学院融合科学研究科 関屋大雄准教授らとの共同研究の成果によるものです．

• 新谷 道広, 佐藤 高史, 孫 宇チョン, 関屋 大雄:
  “零電圧スイッチング動作に基づくゲートドライバのための設計解析式の検討”, 電気学会研究会資料 (於 機械振興会館), SPC-16-099, pp.77-82, 2016年7月.