2021年6月20日～23日にオンラインで開催されたIEEE International Conference on Flexible and Printable Sensors and Systems (FLEPS) 2021 にて、D2のQinが研究発表を行いました (発表日は21日)。
Qinの発表は、低電圧の有機薄膜トランジスタ(OTFT)を用いた、フレキシブルエレクトロニクス用のスクラッチパッド・メモリに関するものです。OTFTは柔軟な素材の上に低コストで製造出来ることなどの特性から、フレキシブルセンサーなどへの応用が注目されています。その際には、データをセンサ近傍に保存できるメモリが必要となります。本研究では、シリコンベースのSRAM回路の構造をもとに、アクセストランジスタにp型トランジスタを用いることで、面積効率と安定性に優れるメモリセルを提案しました。また、劣化緩和回路を用いてOTFTの劣化を防止し、データの保持時間を向上させました。テストチップの測定により、提案したスクラッチパッド・メモリの小規模アレイが正しく動作すること、および、劣化緩和回路によりメモリセルの劣化を防止できることを確認しました。
- Zhaoxing Qin, Kazunori Kuribara, and Takashi Sato, “An SRAM-Based Scratchpad Memory for Organic IoT Sensors,” The IEEE International Conference on Flexible, Printable Sensors and Systems (FLEPS), June 2021.
