DAシンポジウム2019

2018年8月28〜30日に石川県加賀市山代温泉で開催されたDAシンポジウム2019において,M1の大島が研究発表を行いました (発表日は30日).

大島の発表は有機薄膜トランジスタのバイアス・ストレスによる特性変動モデルに関するものです.有機薄膜トランジスタは柔軟な基板に製造可能であること,製造コストが低いこと等が長所である一方,デバイスの劣化が早いことから劣化のメカニズムを解明し特性変動をよく表現するモデルが必要とされています.本発表では,有機薄膜トランジスタにストレスとなる電圧を印加することにより生じるバイアス・ストレス劣化に着目し,劣化の主要因がゲート電圧によるストレスであることを特定しました.また,測定結果においてストレスを取り除くことによって劣化が回復することを示し,既存モデルでは表現されない回復特性をよく表現するモデルを提案しました.
なお本発表は、産業技術総合研究所、奈良先端大学院大学との共同研究による成果です。

  • 大島 國弘, 齋藤 成晃, 新谷 道広, 栗原 一徳, 小笠原 泰弘, 佐藤 高史: “有機薄膜トランジスタの実測に基づくバイアス・ストレス劣化の要因とモデル化に関する検討,” DA シンポジウム, pp.214-219, 2019年8月.
カテゴリー: Conference/Workshop タグ: , , , パーマリンク