電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞を受賞

2017年11月20〜21日に鹿児島で開催された電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会にてM2の大石が行った発表が，学生奨励賞を受賞しました．

• 大石 一輝, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
  “汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路”, 電気学会研究会資料(半導体電力変換回路研究会) (於 鹿児島大学 稲盛会館), EDD-17-069,SPC-17-168, pp.93-98, 2017年11月.