2017年11月20, 21日に鹿児島大学で開催された電気学会 半導体電力変換(SPC)研究会にて本研究室M2の大石が研究発表を行いました(発表日は20日)．
大石の発表はパワーデバイスのゲート駆動に関するものです．通常のMOSFETやIGBTなどのパワーデバイスの駆動には矩形電圧をゲート端子に 印加する のに対して，スイッチング特性改善のためゲート電圧やゲート電流をスイッチング中に制御する方式をアクティブゲート駆動といいます．本発表で は，MOSFETスイッチング時のスイッチング損失とオーバーシュート電圧を，市販ゲートドライバICを用いたアクティブゲート駆動により改善す る回路方 式を提案しました．市販ICを活用することで他のアクティブゲートドライバよりも回路の設計，実装にかかるコストを大幅に削減することができ，評 価実験の 結果，スイッチング損失を36%もしくはオーバーシュート電圧を27%低減することが可能であると示しました．
- 大石 一輝, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
“汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路”, 電気学会研究会資料(半導体電力変換回路研究会) (於 鹿児島大学 稲盛会館), EDD-17-069,SPC-17-168, pp.93-98, 2017年11月.
