電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会

2017年11月9日〜10日に機械振興会館で開催された電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会において本研究室の教員 佐藤が招待講演を行いました(発表日は9日).

佐藤の講演は,SiC をはじめとするパワーデバイスのモデリングに関するものです.デバイス特性を正確にモデル化するには正確な測定が不可欠となりますが,パワーデバイスでは,大電力を扱うことに起因して様々な困難が生じます.今回は,大電力領域での短パルス測定,自己発熱とパッケージを含めた熱等価回路の測定,および新しい入力容量の測定について講演を行いました.

  • 佐藤 高史, 大石 一輝, 廣本 正之, 新谷 道広:
    “(招待) SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化”, 電子情報通信学会技術研究報告(シリコン材料・デバイス研究会) (於 機械振興会館), Vol.117, No.290, SDM2017-65, pp.21-26, 2017年11月.
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