電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞を受賞

11/14〜15に開催された電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会にて，M1の大石が学生奨励賞を受賞しました．

• 大石 一輝, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
  “スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化”, 電気学会研究会資料, EDD-16-059, SPC-16-146, pp.75-80, 2016年11月.