平成27年 電気学会全国大会

2015年3月24〜26日に東京都市大学世田谷キャンパスで開催された電気学会全国大会において新谷が研究発表を行いました(発表日は3月24日).

エネルギーの高効率利用に向けて,高耐圧・高速動作可能という優れた特徴を持つSiCパワーMOSFETの活用が注目されています.これらの優れた特性を最大限引き出すためには,回路シミュレーションによる事前確認が必須です.新谷の発表は,SiCパワーMOSFETのデバイスモデリングに関するもので,高精度な回路シミュレーションを行うために必要となります.80人程度の講義室に100人以上の聴衆が集まり,活発な議論が交わされました.SiCパワーデバイスに対する関心の高さを改めて知り,研究に対するモチベーションがさらに高まる良い機会となりました.

  • 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
    “パワーMOSFETデバイスモデルに向けた自動モデルパラメータ決定手法に関する一検討”, 電気学会全国大会講演論文集, Vol.4, p.2, 4-002, 2015年3月.
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