在 IEEE Transactions on Electron Devices 上刊登了论文.
J.B. Velamala, K.B. Sutaria, H. Shimizu, H. Awano, T. Sato, G. Wirth, and Y. Cao, “Compact Modeling of Statistical BTI Under Trapping/Detrapping,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol.60, no.11, pp.3645-3654, Nov. 2013. (doi: 10.1109/TED.2013.2281986)
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6612719&isnumber=6637023
本论文提出了新的半导体器件的仿真模型. 预测回路的长期信赖性是不可缺少的，求出简洁表示温度不安定性 (BTI: Bias temperature instability)的模型， 再通过实验验证. 通过提案的模型，可以提高很多电子机器的信赖性，对形成安心安全的半导体社会作出贡献.
本研究，是和美国亚利桑那州立大学 (Prof. Yu Cao), Federal University of Rio Grande do Sul (Prof. Gilson Wirth)的共同研究成果.