IEEE Transactions on Electron Devices に論文が掲載されました。
J.B. Velamala, K.B. Sutaria, H. Shimizu, H. Awano, T. Sato, G. Wirth, and Y. Cao, “Compact Modeling of Statistical BTI Under Trapping/Detrapping,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol.60, no.11, pp.3645-3654, Nov. 2013. (doi: 10.1109/TED.2013.2281986)
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6612719&isnumber=6637023
本論文では、半導体デバイスの新しいシミュレーションモデルを提案しています。回路の長期的信頼性の予測に欠かせない、温度不安定性 (BTI: Bias temperature instability) を簡潔に表すモデル式を求めて、これを実験により検証しています。提案するモデルにより、様々な電子機器の信頼性を高めることができ、半導体を用いた安全かつ安心な社会形成に役立ちます。
本研究は、米国アリゾナ州立大学 (Prof. Yu Cao), Federal University of Rio Grande do Sul (Prof. Gilson Wirth)との共同研究の成果によるものです。