IEEE 論文誌 (IEEE Transactions on Electron Devices) への論文掲載

IEEE Transactions on Electron Devices に論文が掲載されました。

J.B. Velamala, K.B. Sutaria, H. Shimizu, H. Awano, T. Sato, G. Wirth, and Y. Cao, “Compact Modeling of Statistical BTI Under Trapping/Detrapping,”  IEEE Transactions on Electron Devices, vol.60, no.11, pp.3645-3654, Nov. 2013. (doi: 10.1109/TED.2013.2281986)
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6612719&isnumber=6637023

本論文では、半導体デバイスの新しいシミュレーションモデルを提案しています。回路の長期的信頼性の予測に欠かせない、温度不安定性 (BTI: Bias temperature instability) を簡潔に表すモデル式を求めて、これを実験により検証しています。提案するモデルにより、様々な電子機器の信頼性を高めることができ、半導体を用いた安全かつ安心な社会形成に役立ちます。

本研究は、米国アリゾナ州立大学 (Prof. Yu Cao), Federal University of Rio Grande do Sul (Prof. Gilson Wirth)との共同研究の成果によるものです。

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