電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 学生奨励賞を受賞

11/14〜15に開催された電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会にて,M1の大石が学生奨励賞を受賞しました.

  • 大石 一輝, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
    “スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化”, 電気学会研究会資料, EDD-16-059, SPC-16-146, pp.75-80, 2016年11月.
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