以下の論文が電子情報通信学会 英文論文誌 Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE (NOLTA)に掲載されました．
この論文では，V-groove型のチャネル構造と埋込p層を持つSiC power MOSFETの回路シミュレーションモデルを提案しています．提案するモデルはデバイス物理に基づくものであり，寄生抵抗と寄生容量の電圧依存性を考慮しています．TCADシミュレーションにより，埋込p層が寄生抵抗と寄生容量の電圧依存性に与える影響を求め，モデルに反映することで，I-V特性とC-V特性を精度良くモデル化することが可能となりました．また，提案するモデルを用いた電力変換器の動作シミュレーションが，実測とよく一致することを確認しています．
- Rui Zhou, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
“Modeling of interelectrode parasitic elements of V-groove SiC MOSFET,” Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE, Vol.9, No.3, pp.344-357, July. 2018.
DOI: 10.1587/nolta.9.344