ISQED 2018

2018年3月13日~14日に米国カリフォルニア州サンタクララ市で開催された International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED) 2018 にて,M1の新が研究発表を行いました (発表日は14日).

新の発表は、集積回路の経年劣化緩和に関するものです。
集積回路の経年劣化はトランジスタの温度や電圧だけでなく、トランジスタがオンとなる確率(デューティ比)やトグル回数(周波数)などの動作条件に依存します。本研究では今まで定量的に考慮されていなかった経年劣化の周波数依存性について、プロセッサースケールの回路でその影響を評価しました。また、デューティ比と周波数の相関モデルを定義し、その妥当性を評価しました。その結果、プロセッサ等の回路では、トグルが起こらない不活性のトランジスタが多いことから、ワーストパス遅延に対する周波数依存性の影響は大きくないこと、複数アプリの実行や劣化緩和手法の適用によりその影響が大きくなること、がわかりました。

  • Zuitoku Shin, Shumpei Morita, Song Bian, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “A Study on NBTI-Induced Delay Degradation Considering Stress Frequency Dependence,” in Proc. of International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED) (Santa Clara, CA), Mar. 2018.
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