SSDM2016

2016年9月26日~29日に茨城県つくば国際会議場で開催されたInternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)にて本研究室の新谷が研究発表を行いました (発表日は9月28日).

新谷の発表は,SiCパワーMOSFETにおける回路シミュレーションモデルに関するものです.現在,産業界で標準化されているパワーMOSFETのシミュレーションモデルは,ドレイン端子がゲート端子とソース端子と同じ面に存在する横型MOSFET構造を対象としていますが,より大電力を扱うためには,ドレイン端子のみを裏面に有する縦型MOSFET構造が広く採用されています.本研究では,縦型MOSFET構造のSiCパワーMOSFETに向けたモデルを提案し,その有効性を示しました.なお,本研究は京都大学大学院工学研究科 引原研究室と共同で行われました.

  • Michihiro Shintani, Yohei Nakamura, Masayuki Hiromoto, Takashi Hikihara, and Takashi Sato:
    “A Surface-Potential-Based Reverse-Transfer Capacitance Model for Vertical SiC DMOSFET,” in Proc. of International Conference on Solid Devices and Materials (SSDM), PS-14-08, pp.993-994, Sep. 2016.
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