Yearly Archives: 2013

环境电磁工学研究会(EMCJ)

2013年3月8日(周五),在机械振兴会馆举办的环境电磁工学研究会(EMCJ)上,M2(修士2年级)森下同学做了自己的研究成果发表。 本研究是对在集成电路中使用的电源网阻抗模型进行的,通过实现电源网中电压进行高效率仿真,希望对电子器件的稳定性和可靠性上做出相应的贡献。 森下拓海, 日高青路, 山長功, 佐藤高史, “空間周波数領域インピーダンス行列を用いたマルチポートLSIモデルの検討,” 電子情報通信学会技術研究報告 (於 機械振興会館), vol. 112, no. 468, EMCJ2012-131, pp. 79-84, 2013年3月.

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VLD Excellent Student Author Award for ASP-DAC 颁奖仪式

2013年3月4日(周一),在冲绳县青年会馆举办的VLD 研究会上进行了VLD Excellent Student Author Award for ASP-DAC 优秀论文颁奖仪式。本研博士课程学长新谷先生光荣获奖。本次颁奖是对国际会议ASP-DAC采用的文章(采用率31.2%)中,特別优秀论文的执笔学生进行的奖赏。 授奖论文为: Michihiro Shintani and Takashi Sato, “An Adaptive Current-Threshold Determination for IDDQ Testing Based on Bayesian Process Parameter Estimation,” ACM/IEEE Asia South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) (Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan), … Continue reading

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VLSI设计技术研究会 (VLD)

VLSI设计技术研究会(VLD研究会)在冲绳县青年会馆举办,本研博士课程学长新谷先生发表了自己的研究成果。 IDDQ法是通过判断集成电路中漏电流的大小来判定生产的芯片是否有故障或者瑕疵。通过本研究,可以实行现短时间,高精度的集成电路或者片上系统的故障判断。 新谷道広, 佐藤高史, “パラメータ推定に基づくIDDQ 電流しきい値決定のオンラインテストに向けた高速化,” 電子情報通信学会技術研究報告 (於 沖縄県青年会館), vol. 112, no. 451, VLD2012-137, pp. 7-12, 2013年3月.

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面向学部三年级同学的研究室参观会(第二天)

2月22日,面向学部三年级同学的研究室参观会的第二天,欲参加的同学可以通过 contact(at)easter.kuee.kyoto-u.ac.jp 联系我们。 非常感谢!

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面向学部三年级同学的研究室参观会(第一天)

今天是面向学部三年级同学的研究室参观会的第一天(2013年2月21日),具体活动以及研究室情况请参看http://www.pass.cce.i.kyoto-u.ac.jp/?page_id=1428

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GLSVLSI2013论文采用

森下同学(M2)的论文被GLSVLSI2013 (5月)采用。论文题目为: Takumi Morishita, Hiroshi Tsutsui, Hiroyuki Ochi and Takashi Sato, “Fast and Memory-Efficient GPU Implementations of Krylov Subspace Methods for Efficient Power Grid Analysis,” Proc. of GLSVLSI (Paris, France), May. 2013 (to appear).

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第九回(2012年)IEEE关西支部学生研究奖励表彰会

2013年2月12日(周二),在2013年IEEE关西支部总会的IEEE关西支部学生奖励研究表彰会上,毕业生片山 健太朗先生和修士二年级学生川岛同学获得了研究奖励。获奖论文(国际会议发表论文)为 Junya Kawashima, Hiroshi Tsutsui, Hiroyuki Ochi, and Takashi Sato, “A Design Strategy for Sub-Threshold Circuits Considering Energy-Minimization and Yield-Maximization,” in Proc. of IEEE International SOC Conference (SOCC) (Taipei, Taiwan), pp.57-62, Sep. 2011. Kentaro Katayama, Shiho Hagiwara, Hiroshi Tsutsui, … Continue reading

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预定面向学部三年级同学的研究室参观会

佐藤高史研究室在2月21日(周四)至22日(周四)举行了面向学部三年级同学的研究室见学会。 详细信息请参考 http://www.pass.cce.i.kyoto-u.ac.jp/?page_id=1428 注: 研究室配属対象者是指四年级预定进入研究室做毕业研究的三年级学生

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ACM/IEEE ASPDAC 2013

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本研究室博士生新谷先生与佐藤教授于ASPDAC2013做了研究发表。 新谷先生的研究成果大大提高了隐含在VLSI设计中存在的技术故障的检出精度。宫川先生 (2012年3月毕业生) 的研究成果则是实现了通过随机游走 (Random Walk) 技术对VLSI的电源设计品质进行高速验证。特别是对于频域分析领域的研究,本研究成果则是确立了世界领先的地位。以上的研究成果与技术,对我们日常使用的电子产品的安全性和信赖性的提高做出了巨大的贡献!

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