Tag Archives: IEEE

(日本語) IEEEマイルストン贈呈式プレイベント

Posted on 05/16/15 Saturday by hiromoto

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(日本語) 第11回IEEE関西支部学生研究奨励賞 受賞

Posted on 02/13/15 Friday by admin

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(日本語) IEEE 論文誌 (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)への論文掲載

Posted on 09/18/14 Thursday by admin

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(日本語) ICCAD2014 採択決定

Posted on 06/06/14 Friday by hiromoto

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(日本語) IEEE Transactions on Device and Materials Reliabilityへの論文採録決定

Posted on 05/21/14 Wednesday by admin

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(日本語) IEEE Transactions on Device and Materials Reliabilityへの論文採録決定

Posted on 03/03/14 Monday by ts

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一篇文章被收录于IEEE Transactions on CAD

Posted on 01/21/14 Tuesday by ts

以下文章被收录于 IEICE Transactions on Electronics. Michihiro Shintani, Takumi Uezono, Tomoyuki Takahashi, Kazumi Hatayama, Takashi Aikyo, Kazuya Masu, and Takashi Sato, “A Variability-Aware Adaptive Test Flow for Test Quality Improvement,” to appear in IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits … Continue reading →

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VMC2013

Posted on 11/29/13 Friday by ts

在2013年11月21日San Jose举办的IEEE/ACM Workshop on Variability Modeling and Characterization (VMC2013)会议中，D2的粟野先生发表了关于集成电路长期信赖性的文章。虽然集成电路被称为消磨损耗非常低的器件，但是随着尺寸的缩小，器件老化带来的问题也日益加重。特别是偏置电压随温度的不稳定性（BTI）越来越受到重视。 在此次发表中，讲述了对于数百晶体管的关于BTI劣化特性的偏差的测量。通常对BTI裂化的测量，1个晶体管往往要花费数小时到一天的时间，使偏差的测量变得不可能。为了解决这一问题，采用并行测量的电路设计方案，进行了65nm工艺芯片的制作。 在对BTI劣化中偏差的分析，可以防止乐观的或悲观的劣化预测。 Hiromitsu Awano, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato, “Statistical Observation of NBTI and PBTI Degradations,” Workshop on variability modeling and characterization (VMC), November 2013. (San Jose, CA). 同时，在同一个Workshop中，佐藤先生也进行了演讲 Takashi Sato, … Continue reading →

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ASICON 2013

Posted on 11/04/13 Monday by ts

2013年10月28日～31日，ASICON 2013在中国深圳举办，本研究室的佐藤进行了演讲. Takashi Sato, “Statistical simulation methods for analyzing performance of low supply voltage circuits (invited),” in Proc. IEEE 10th International Conference on ASIC (ASICON), pp.103-106, September, 2013.　(Best Western Shenzhen Felicity Hotel, Shenzhen, China) 本论文中，回顾了在低耗能电力回路中非常重要的考虑分散的电路设计时利用的模拟方法.在学会上与海外的老师进行技术交流之余，去看了像秋叶原那样的电器街，感受到了中国电器电子界的活力.

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(日本語) IEEE 論文誌 (IEEE Transactions on Electron Devices) への論文掲載

Posted on 11/01/13 Friday by ts

在 IEEE Transactions on Electron Devices 上刊登了论文. J.B. Velamala, K.B. Sutaria, H. Shimizu, H. Awano, T. Sato, G. Wirth, and Y. Cao, “Compact Modeling of Statistical BTI Under Trapping/Detrapping,”  IEEE Transactions on Electron Devices, vol.60, no.11, pp.3645-3654, Nov. 2013. (doi: 10.1109/TED.2013.2281986) URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6612719&isnumber=6637023 … Continue reading →

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