ICSCRM2019

2019年9月29日~10月4日に国立京都国際会館で開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019)にて,共同研究を行っている新谷先生(奈良先端科学技術大学院大学)が研究発表を行いました (発表日は10月4日)。

この発表は,SiCに代表されるパワートランジスタを高速かつ低損失でスイッチングするためのゲートドライバ回路に関するものです.3レベルの電圧を出力するゲートドライバ回路を新たに構成して,高速スイッチングに伴うオーバーシュート電圧を低減します.本回路を自己フィードバックにより外部からの制御信号を与えることなく自律的に動作させることより,電力損失を23%低減できることを示しました.

  • Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, and Takashi Sato, “A three-level active gate drive circuit for power MOSFETs utilizing a generic gate driver IC,” in Proc. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), Fr-3A-04, September 2019.
カテゴリー: Conference/Workshop, Publication タグ: パーマリンク