SSDM 2019

2019年9月2日~5日に名古屋大学東山キャンパスで開催されたInternational Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)にてM1の大島が研究発表を行いました (発表日は9月5日)。

大島の発表は,有機薄膜トランジスタの特性変動に関するものです.有機薄膜トランジスタはエマージングデバイスの一つで,印刷プロセスによる製造コストの低さ等で注目される一方,劣化による短寿命が課題とされています.本発表では,有機薄膜トランジスタのバイアス・ストレス劣化の発生要因を比較し,バイアス・ストレス劣化がゲート電圧により進行することを示しました.また,バイアス・ストレス劣化モデルに関して,劣化のみを表現する既存モデルに回復項を付け加えることで測定結果にみられる特性回復を表現できることを示しました.

  • Kunihiro Oshima, Michiaki Saito, Michihiro Shintani, Kazunori Kuribara, Yasuhiro Ogasahara, and Takashi Sato, “Experimental study of bias stress degradation of organic thin film transistors,” in Proc. International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp.89-90, September 2019.
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