ICSCRM2019採択決定

以下の論文が,2019年9月29〜10月4日に開催予定の国際会議International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019に,oral presentationとして採択されました.

  • Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, and Takashi Sato, “A three-level active gate drive circuit for power MOSFETs utilizing a generic gate driver IC,” in Proc. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), (to appear)
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