英文論文誌Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE (NOLTA)への論文掲載

以下の論文が電子情報通信学会 英文論文誌 Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE (NOLTA)に掲載されました.

この論文では,V-groove型のチャネル構造と埋込p層を持つSiC power MOSFETの回路シミュレーションモデルを提案しています.提案するモデルはデバイス物理に基づくものであり,寄生抵抗と寄生容量の電圧依存性を考慮しています.TCADシミュレーションにより,埋込p層が寄生抵抗と寄生容量の電圧依存性に与える影響を求め,モデルに反映することで,I-V特性とC-V特性を精度良くモデル化することが可能となりました.また,提案するモデルを用いた電力変換器の動作シミュレーションが,実測とよく一致することを確認しています.

  • Rui Zhou, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Modeling of interelectrode parasitic elements of V-groove SiC MOSFET,” Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE, Vol.9, No.3, pp.344-357, July. 2018.
    DOI: 10.1587/nolta.9.344
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