2016年11月14日〜15日に九州工業大学 戸畑キャンパスで開催された電気学会 電子デバイス・半導体電力変換 合同研究会においてM1の大石が発表を行いました（発表日は14日）．
大石の発表はパワーMOSFETの入力容量の測定手法に関するものです．今まで小信号を利用した容量測定手法が広く用いられてきましたが，動作点が大きく変化するスイッチング波形を再現することは困難であるとの報告もありました．そこで本研究ではゲート電荷に着目し，スイッチング波形から容量を算出する手法を提案しました．市販パワーMOSFETを用いた評価実験の結果，従来の小信号測定による容量よりも正確に波形を模擬できることを示しました．
- 大石 一輝, 新谷 道広, 廣本 正之, 佐藤 高史:
“スイッチング波形を利用したパワーMOSFETの入力容量測定とモデル化”, 電気学会研究会資料, EDD-16-059, SPC-16-146, pp.75-80, 2016年11月.
