WiPDA 2016

2016年11月7日~9日に米国アーカンソー州フェイエットビルで開催されたThe IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA)にて特定助教の新谷とM1の大石が研究発表を行いました (発表日は11月8日).

新谷の発表は,埋込P層を有するV溝構造のSiCパワーMOSFETに関するものです.埋込P層を有することで,V溝構造SiCパワーMOSFETの信頼性を飛躍的に向上させることができます.本研究では,この構造のSiCパワーMOSFETの回路シミュレーションモデルを提案しています.提案モデルは,埋込P層による影響をデバイスシミュレーション結果から容量特性の電圧依存性を確認しモデル化することで,実際のデバイスにおける静特性をよく模擬できることを確認しました.

大石の発表はパワーMOSFETの熱伝達特性測定手法に関するものです.これまでに我々は測定系の制御方式の観点から2つの測定手法を提案してきました.本発表ではそれらを比較することで両手法の正当性を検証し,また両手法の利点と欠点を明らかにしました.

  • Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, Rui Zhou, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “A Circuit Simulation Model for V-Groove SiC Power MOSFET,” in Proc. of the 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), pp.286-290, Nov. 2016.
    DOI: 10.1109/WiPDA.2016.7799954
  • Kazuki Oishi, Michihiro Shintani, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato:
    “Identifications of Thermal Equivalent Circuit for Power MOSFETs through In-Situ Channel Temperature Estimation,” in Proc. of the 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), pp.308-313, Nov. 2016.
    DOI: 10.1109/WiPDA.2016.7799958
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