電気学会 半導体電力変換研究会

2015年12月17,18日にアオーレ長岡で開催された電気学会 半導体電力変換/家電・民生/自動車 合同研究会において新谷がSiCパワーMOSFETのトランジスタモデルに関する発表を行いました.

本発表では,SiCパワーMOSFETにおける帰還容量モデルを提案しました.既存手法では物理現象を近似による簡単化により得ているのに対し,提案手法ではMOSFETの詳細な物理現象に基づいてモデル化しており,シミュレーション値は実測値をよく模擬できます.提案手法により,SiCパワーMOSFETを用いた電力変換回路の高効率な設計が可能になることが期待されます.

なお,本研究は京都大学大学院工学研究科 引原研究室と共同で行われました.

  • 新谷 道広, 中村 洋平, 廣本 正之, 引原 隆士, 佐藤 高史:
    “SiCパワーMOSFETにおける帰還容量の測定とモデル化”, 電気学会研究会資料, SPC-15-201, HCA-15-070, VT-15-041, pp.41-46, 2015年12月.
カテゴリー: Conference/Workshop, Publication タグ: パーマリンク