在2013年11月21日San Jose举办的IEEE/ACM Workshop on Variability Modeling and Characterization (VMC2013)会议中，D2的粟野先生发表了关于集成电路长期信赖性的文章。虽然集成电路被称为消磨损耗非常低的器件，但是随着尺寸的缩小，器件老化带来的问题也日益加重。特别是偏置电压随温度的不稳定性（BTI）越来越受到重视。
在此次发表中，讲述了对于数百晶体管的关于BTI劣化特性的偏差的测量。通常对BTI裂化的测量，1个晶体管往往要花费数小时到一天的时间，使偏差的测量变得不可能。为了解决这一问题，采用并行测量的电路设计方案，进行了65nm工艺芯片的制作。
在对BTI劣化中偏差的分析，可以防止乐观的或悲观的劣化预测。
Hiromitsu Awano, Masayuki Hiromoto, and Takashi Sato, “Statistical Observation of NBTI and PBTI Degradations,” Workshop on variability modeling and characterization (VMC), November 2013. (San Jose, CA).
同时，在同一个Workshop中，佐藤先生也进行了演讲
Takashi Sato, “A device array for flexible BTI characterization (invited talk),” Workshop on variability modeling and characterization (VMC), November 2013. (San Jose, CA)
